Resistencia de chip RF 2W-800W DC-18GHz para estaciones base y equipos de prueba

Esta serie deResistencias de chip RF, terminaciones y atenuadores están diseñados para circuitos de potencia de alta frecuencia. Utiliza materiales de sustrato de AlN (nitruro de aluminio) o Al₂O₃ (óxido de aluminio), que ofrecen una excelente disipación del calor y estabilidad térmica. La impedancia estándar es de 50 Ω. El rango de potencia abarca de 2W a 800W. El rango de frecuencia es de CC a 18 GHz. Hay varios tipos de paquetes disponibles, incluidos estilos de montaje en chip, con terminales y con brida. Estos se adaptan a diversos requisitos de diseño de circuitos de RF. Se utilizan ampliamente en estaciones base de comunicaciones, equipos de prueba y medición, amplificadores de potencia y aisladores.

• Impedancia estándar – 50Ω
• Tolerancia de resistencia – ±3%, ±5%
• Rango de potencia: 2 W a 800 W
• Rango de frecuencia: CC a 18 GHz
• Material del sustrato: AlN, Al₂O₃
• Coeficiente de temperatura – ±150 ppm/°C
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C
• Material del electrodo: níquel + plata.

• Amplificadores de potencia de estaciones base de comunicaciones
• Equipos de prueba y medición de RF
• Terminales de comunicación por satélite
• Aisladores y circuladores de RF
• Equipos de transmisión de televisión
• Equipo médico de radiofrecuencia
• Sistemas de aviónica

P: ¿Cuáles son las ventajas del sustrato AlN en comparación con Al₂O₃?

R: AlN (nitruro de aluminio) ofrece una mayor conductividad térmica (aproximadamente 170 W/mK), lo que proporciona una mejor disipación del calor para aplicaciones de RF de alta potencia. Al₂O₃ (óxido de aluminio) tiene un costo menor y es adecuado para aplicaciones de potencia pequeña a mediana. Ambos ofrecen buen aislamiento y estabilidad térmica. La selección depende del nivel de potencia y del presupuesto de costes.

P: ¿Qué impacto tiene VSWR en los sistemas de RF?

R: Cuanto más cerca esté VSWR de 1:1, mejor será la adaptación de impedancia, lo que resultará en una menor reflexión de la señal y una mayor eficiencia de transferencia de potencia. Esta serie ofrece VSWR tan bajo como 1,20:1, lo que garantiza una excelente adaptación de impedancia en un amplio rango de frecuencia y reduce la reflexión de la señal y la pérdida de potencia.

P: ¿Cómo seleccionar la potencia nominal para las terminaciones?

R: La potencia nominal de la terminación debe ser de 1,5 a 2 veces la potencia de RF real para garantizar un funcionamiento confiable a largo plazo. También se deben considerar las condiciones de temperatura ambiente y disipación de calor. Cuando se opera por encima de 70 °C, se requiere una reducción de potencia según la curva de reducción de potencia. Esta serie cubre de 2W a 800W para satisfacer diversos requisitos de energía.

P: ¿Qué tipos de paquetes son compatibles con esta serie?

R: Se admiten tres tipos de paquetes: chip (SMD), con conexión y montaje en brida. El tipo de chip es adecuado para líneas de producción SMT automatizadas. El tipo con plomo es adecuado para soldadura manual y creación de prototipos. El montaje con brida proporciona la mejor disipación de calor y es adecuado para aplicaciones de alta potencia.