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smd shielded power inductor

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Palabras clave [ smd shielded power inductor ] partido 76 productos.
Inductores de gran intensidad de poco ruido del poder, inductores protegidos del poder de SMD

Inductores de gran intensidad de poco ruido del poder, inductores protegidos del poder de SMD

Precio: Negociable MOQ: negociación
Estructura Blindado
Instalación SMT
Tamaño del cojín 13.8*12.8m m
Valor del inductor Inductor fijo
Temperatura de funcionamiento -40℃ - +105℃
Instalación fija de gran intensidad de poco ruido protegida de SMT del inductor del inductor del poder de SMD

Instalación fija de gran intensidad de poco ruido protegida de SMT del inductor del inductor del poder de SMD

Precio: Negociable MOQ: negociación
Estructura Blindado
Instalación SMT
Tamaño del cojín 12.5*18.5m m, 20*24m m
Valor del inductor Inductor fijo
Temperatura de funcionamiento -40℃ - +105℃
Alta estructura magnético protegida de la obstrucción del soporte de la superficie de la confiabilidad

Alta estructura magnético protegida de la obstrucción del soporte de la superficie de la confiabilidad

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
Inductancia 2.2uH a 330uH
gama actual 1,0 a 6.2A
Tipo de producto SMT
Estructura de la bobina escoja la bobina
Temperatura de funcionamiento -40℃ a +105℃
Cree los inductores protegidos 0.22uh - gama del poder para requisitos particulares de Smd de la inductancia 10uh

Cree los inductores protegidos 0.22uh - gama del poder para requisitos particulares de Smd de la inductancia 10uh

Precio: Negociable MOQ: negociación
Estructura Blindado
Instalación SMT
Valor del inductor Inductor fijo
Temperatura de funcionamiento -40℃ - +125℃
Temperatura de almacenamiento -40℃ - +125℃
Mini ruido ultrabajo protegido del zumbido de los inductores del poder de Smd de la electrónica componente

Mini ruido ultrabajo protegido del zumbido de los inductores del poder de Smd de la electrónica componente

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
frecuencia del est 100KHz, 0.1V
Gama de la inductancia 0.14uH a 2.25uH
gama actual 14A a 50A
Tamaño 15.5m m x 11m m x 8m m
Temperatura de funcionamiento -40℃ - +105℃
Inductores de gran intensidad del poder de la bobina de la ferrita, 22uH peso ligero del inductor SMD

Inductores de gran intensidad del poder de la bobina de la ferrita, 22uH peso ligero del inductor SMD

Precio: Negociable MOQ: negociación
gama actual 3A a 41A
Gama de la inductancia 47nH a 22uH
Instalación SMT
frecuencia del est 100KHz, 0.25V
Valor del inductor Inductor fijo
aduana del componente de la electrónica de los inductores de gran intensidad del poder de 300nH 94A mini

aduana del componente de la electrónica de los inductores de gran intensidad del poder de 300nH 94A mini

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
gama actual 32.5A a 94A
Gama de la inductancia 100nH a 300nH
Instalación SMD
frecuencia del est 100KHz, 0.1V
Valor del inductor Inductor fijo
Componente de la electrónica de los inductores de gran intensidad del poder de la serie HQ1108 mini

Componente de la electrónica de los inductores de gran intensidad del poder de la serie HQ1108 mini

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
gama actual 14A a 50A
Gama de la inductancia 0.14uH a 2.25uH
Tamaño 15.5m m x 11m m x 8m m
frecuencia del est 100KHz, 0.1V
Valor del inductor Inductor fijo
Inductores de gran intensidad del poder del control industrial ningún PIN de la distorsión acabado suavemente

Inductores de gran intensidad del poder del control industrial ningún PIN de la distorsión acabado suavemente

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
gama actual 20A a 65A
Gama de la inductancia 72nH a 226nH
Tolerancia el 10%
Tamaño del cojín 7.0*7.0
Temperatura de funcionamiento -40℃ a +125℃ (ambiente más subida de la uno mismo-temperatura)
Los inductores de gran intensidad 110A del poder de SMT protegieron obediente directivo de RoHS de la bobina de obstrucción

Los inductores de gran intensidad 110A del poder de SMT protegieron obediente directivo de RoHS de la bobina de obstrucción

Precio: Negociable MOQ: 5000pcs
gama actual 20A a 110A
Gama de la inductancia 32nH a 200nH
Tamaño 7,49 *7.62 *4.96mm
Instalación SMT
DCR el 0.17mΩ±8%
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