Inductor de potencia blindado SMD serie LPM1040/1045 para convertidores POL de alta corriente y fuentes de alimentación FPGA

Inductores de potencia de alta corriente serie LPM1040/1045

El Inductor de potencia SMD blindado serie LPM1040/1045 presenta una estructura compuesta y diseño blindado, ofreciendo la altura más baja en su tamaño de paquete, el DCR/μH más bajo en su tamaño de paquete y respuesta de alta frecuencia, manejando eficazmente picos de corriente transitoria altos sin saturación. La estructura compuesta reduce significativamente el ruido audible, haciéndolo adecuado para aplicaciones sensibles al ruido. Se utiliza ampliamente en PDAs/portátiles/de sobremesa/servidores, convertidores POL de alta corriente, fuentes de alimentación de alta corriente de bajo perfil, dispositivos alimentados por batería, sistemas de potencia distribuidos y convertidores DC-DC para fuentes de alimentación FPGA. Es una opción ideal para diseños de fuentes de alimentación compactas de alta densidad.

CARACTERÍSTICAS:

• Construcción blindada
• La altura más baja en esta huella de paquete.
• Construcción blindada.
• El DCR/H más bajo, en este tamaño de paquete.
• Maneja picos de corriente transitoria altos sin saturación.
• Ruido de zumbido ultrabajo, debido a la construcción compuesta.
• Frecuencia hasta 5MHz.

APLICACIONES:

• Aplicaciones de PDA/portátil/sobremesa/servidor
• Convertidores POL de alta corriente
• Fuentes de alimentación de alta corriente y bajo perfil
• Dispositivos alimentados por batería
• Convertidores DC/DC en sistemas de potencia distribuidos
• Convertidor DC/DC para Field Programmable Gate Array (FPGA)
• Aplicaciones utilizadas en conmutación de potencia
• Ordenadores personales y otros equipos electrónicos portátiles.

NOTAS:·

• Frecuencia de prueba: 100KHz / 0.25Vdc
• Instrumento de prueba: L:HP4284A, CH11025,CH3302, CH1320, CH1320S LCR METER/Rdc:CH16502, Agilent33420A MICRO OHMMETER.
• La corriente nominal por calor (Irms) provocará un aumento de la temperatura de la bobina aproximadamente, △T=40℃ sin pérdida de núcleo.
• La corriente de saturación (Isat) provocará que L0 caiga aproximadamente un 20%
• La temperatura de la pieza (ambiente + aumento de temperatura) no debe exceder los 125℃ en las peores condiciones de funcionamiento. El diseño del circuito, el componente, el tamaño y el grosor de la traza de la PCB, el flujo de aire y otras disposiciones de enfriamiento afectan la temperatura de la pieza. La temperatura de la pieza debe verificarse en la aplicación final.
• Temperatura de funcionamiento y almacenamiento: -40℃ - +105℃.

Nota: Las especificaciones del producto se pueden personalizar.

Preguntas frecuentes

P: ¿Cómo reduce la estructura compuesta el ruido audible?

R: La estructura compuesta utiliza materiales de núcleo especiales y procesos de llenado para reducir eficazmente la vibración causada por el efecto magnetostrictivo. Esto reduce significativamente el ruido audible en el rango de frecuencia audible, haciéndolo especialmente adecuado para dispositivos portátiles sensibles al ruido y aplicaciones de electrónica de consumo.

P: ¿Cuáles son las ventajas del diseño de altura más baja en su tamaño de paquete?

R: El diseño de altura más baja en su tamaño de paquete ahorra espacio vertical en la PCB, lo que lo hace especialmente adecuado para diseños de dispositivos compactos con restricciones de altura, cumpliendo las tendencias de miniaturización y factores de forma delgados sin comprometer la capacidad de manejo de potencia.

P: ¿Qué significa el DCR/μH más bajo en su tamaño de paquete?

R: El DCR/μH más bajo en su tamaño de paquete significa que este inductor ofrece la menor resistencia de CC y pérdida de potencia por microhenrio en el mismo tamaño de paquete, asegurando una alta eficiencia de conversión y baja generación de calor. Es adecuado para diseños de fuentes de alimentación de alta densidad con estrictos requisitos de eficiencia y gestión térmica.

P: ¿Cuáles son las ventajas de la estructura blindada?

R: La estructura blindada utiliza un diseño de circuito magnético cerrado para confinar el flujo magnético dentro del núcleo. Reduce eficazmente el flujo de fuga y la interferencia electromagnética a los circuitos sensibles cercanos, mejorando el rendimiento EMC del sistema.