| Tensión de alimentación | ±15~±24V |
|---|---|
| Aporte | 1000A |
| Producción | 200 mA |
| Orificio pasante primario | 40.5m m |
| Material plástico | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Tensión de alimentación | +15V±5% |
|---|---|
| Aporte | 25A |
| Producción | 25mA±0,5% |
| Relación de giros | 1:1000 |
| Temperatura de funcionamiento | -40 ~+85 ℃ |
| Tensión de alimentación | ±15V ±5% |
|---|---|
| Entrada nominal | 0A ~ 50A |
| Salida nominal | 10mA ±0,5%, 25mA ±0,5%, |
| Instalación | Instalación de PCB |
| Compense la corriente | ≤±0,25 mA |
| Tensión de alimentación | 5V (±5%) |
|---|---|
| Entrada nominal | 0A ~ 50A |
| Salida nominal | ±0,8 V ±0,5% |
| Válvula de desviación | 2,5 V ± 0,5 |
| Deriva del voltaje de salida | ≤±0,05 mV/℃ |
| Relación de giros | 1:2000,1:3000 |
|---|---|
| Entrada nominal | 100A, 200A, 300A |
| Salida nominal | 50mA±0,5%, 100mA±0,5% |
| Clasificación IP | IP65 |
| Linealidad | 6KV, 50HZ, 1min. |
| Voltaje de suministro | ±15V±5% |
|---|---|
| corriente de entrada | 200A-1000A |
| Voltaje de salida | 4,0 V ± 1% |
| Linealidad | ≤1% FS |
| Temperatura de funcionamiento | -40 ~+85 ℃ |
| Tensión de alimentación | ±12 ~ ±15 (±5%) |
|---|---|
| Entrada nominal | 0A ~ 4000A |
| Salida nominal | 4,0 V ±1% |
| Aislamiento Interior | Epóxido encapsulado |
| Forma del núcleo | laminado |
| Relación de giros | 1:1000,1:1500,1:2000 |
|---|---|
| Entrada nominal | 25A, 50A, 75A, 100A |
| Salida nominal | 25mA±0,5%, 50mA±0,5% |
| Voltaje de aislamiento | 3.0KV/50HZ, 1min O 60HZ, 1min |
| Temperatura de funcionamiento | -40 ~+85 ℃ |
| Nombre de producto | Base actual del sensor |
|---|---|
| Material | Nanocrystalline, amorfo, acero del silicio |
| Uso | Hall Effect Current Sensor |
| Lugar de la producción | China |
| Aduana | sí |
| Tensión de alimentación | ±15V ±5% |
|---|---|
| Entrada nominal | 10 mA |
| Salida nominal | 50mA ±0,5% |
| Voltaje de aislamiento | 6KV, 50HZ, 1min. |
| Temperatura de funcionamiento | -10~+80℃ |