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GT0513 Transformador de conductor de puerta con aislamiento básico de 4000Vrms, topología de empuje-puja y cumplimiento AEC-Q200 para IGBT y MOSFET Gate Drive

5000
MOQ
GT0513 Gate Driver Transformer with 4000Vrms Basic Isolation, Push-Pull Topology & AEC-Q200 Compliance for IGBT and MOSFET Gate Drive
Caracteristicas Galería Descripción de producto Habla Ahora.
Caracteristicas
Especificaciones
Aislamiento básico: 4000Vrms
Aislamiento continuo: 600 Vrms
Inductancia de fugas: 200-350 nH
Inductancia primaria: 200µH
Capacitancia de Interwinding: ≤159pF
Información básica
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: SHINHOM
Certificación: RoHS/ISO/UL/CE/IATF16949/CNAS
Número de modelo: GT0513
Documento: GT0513 Seires_.pdf
Pago y Envío Términos
Tiempo de entrega: 2~8 semanas
Condiciones de pago: LC, T/T
Descripción de producto
GT0513 Transformador de conductor de puerta de alta fiabilidad de empuje-puja para aislamiento IGBT, MOSFET y BMS
ElGT0513 Transformador de conductor de puertaes un transformador compacto de empuje-puja diseñado paraEl motor de la puerta IGBT y MOSFETyAislamiento del BMSEn el caso de los sistemas de automóviles e industriales.Las condiciones de los certificados de calidady que se ajustan aAEC-Q200, estoTransformador de aislamientoofrece un rendimiento estable de -40°C a +105°C.
Características clave
  • Aislamiento básico de 4000 Vrms(600Vrms continuos) con elevadas velocidades de deslizamiento - garantiza una separación galvánica segura entre los circuitos primarios y secundarios
  • Topología de empuje-tirada- ideal para el accionamiento de puertas aisladas de alta frecuencia y los convertidores de CC-CC
  • Relaciones de vueltas múltiples- de 1 CT:1.2CT hasta 1CT:7CT, soportando varios niveles de voltaje de puerta
  • Baja inductancia de fuga- 200-350 nH, típicamente, probados a 100 kHz
  • Inductividad primaria mínima- 200 μH para una transferencia de energía eficiente
  • DCR muy bajo- tan bajo como 0,13Ω en la energía primaria, reduciendo la pérdida de conducción
  • Baja capacidad de entrelazamiento- ≤159 pF, minimizando la distorsión de la señal
  • Diseño abierto, no encapsulado- fácil montaje de PCB, excelente rendimiento térmico
Aplicaciones
  • Activación de puertas IGBT / MOSFET en inversores EV / HEV
  • Aislamiento del BMS (comunicación principal y redundante)
  • Fuentes de alimentación aisladas de empuje-tirado y de retroalimentación
  • Conversores de CC-DC que requieren aislamiento reforzado
Para una fiableTransformador de conductor de puertaEn los ambientes de espacio limitado y de alta temperatura, elGT0513 transformador de aislamientoEs la elección probada.empujarLa arquitectura y la conformidad AEC-Q200 hacen que sea especialmente adecuado para la gestión de baterías de automóviles y los sistemas de cargadores a bordo.
etiqueta:

high frequency isolation transformer

high frequency power transformer

high frequency switching transformer

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