| gama actual | 0~100A |
|---|---|
| de salida | 0-50mA o 0-1V |
| clase | 0,5、 3,0 del、 1,0 |
| Fase | Individual |
| Gama de medición | los 5%In-130%In |
| Nombre de producto | Base actual del sensor |
|---|---|
| Material | Ferrito |
| Uso | Hall Effect Current Sensor |
| Lugar de la producción | China |
| aduana | Sí |
| Nombre de producto | Base actual del sensor |
|---|---|
| Material | Nanocrystalline, amorfo, acero del silicio |
| Uso | Hall Effect Current Sensor |
| Lugar de la producción | China |
| Aduana | sí |
| Anchura de la ventana | 76.2X6.5X15m m |
|---|---|
| Nombre de producto | Base partida de la EMI Ferrtie |
| Material | NiZn |
| Uso | Reduzca interferencia electromágnetica |
| Impedancia | 114Ω minuto @100MHz |
| Frecuencia | 4.5-3000MHz |
|---|---|
| Impedancia característica | 75Ω |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃ a 85℃ |
| Temperatura de almacenamiento | -55℃ a 100℃ |
| Ratio de la impedancia | 1:1, 1:2, 1:4 |