gama actual | 0~100A |
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de salida | 0-50mA o 0-1V |
clase | 0,5、 3,0 del、 1,0 |
Fase | Individual |
Gama de medición | los 5%In-130%In |
Nombre de producto | Base actual del sensor |
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Material | Ferrito |
Uso | Hall Effect Current Sensor |
Lugar de la producción | China |
aduana | Sí |
Nombre de producto | Base actual del sensor |
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Material | Nanocrystalline, amorfo, acero del silicio |
Uso | Hall Effect Current Sensor |
Lugar de la producción | China |
Aduana | sí |
Anchura de la ventana | 76.2X6.5X15m m |
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Nombre de producto | Base partida de la EMI Ferrtie |
Material | NiZn |
Uso | Reduzca interferencia electromágnetica |
Impedancia | 114Ω minuto @100MHz |
Frecuencia | 4.5-3000MHz |
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Impedancia característica | 75Ω |
Temperatura de funcionamiento | -40℃ a 85℃ |
Temperatura de almacenamiento | -55℃ a 100℃ |
Ratio de la impedancia | 1:1, 1:2, 1:4 |