Desde las estaciones base hasta los equipos de prueba: un análisis completo de los escenarios de aplicación de las resistencias RF

Los desafíos:

• Las estaciones base 5G de RF deben manejar de decenas a cientos de vatios de potencia de transmisión

• En los grandes conjuntos de antenas MIMO, las redes de distribución de señales dividen la energía en múltiples canales

• La potencia reflejada de cada canal, si no se absorbe eficazmente, puede alimentarse en el módulo del amplificador de potencia

• Consecuencia: el rendimiento del PA se degrada y, en casos graves, los dispositivos pueden quemarse

La solución de SHINHOM:

• Las terminaciones de montaje de bridas

• Modelo típico: RFR50N-800CT93401A

• Control de la potencia: hasta 800 W

• VSWR tan bajo como 1.201 (DC a 1,2 GHz)

• Absorbe eficientemente la energía reflejada para proteger el módulo de PA

• La estructura de la brida con sustrato de AlN garantiza una conducción de calor rápida para un funcionamiento estable a alta potencia

Escenario 2: Equipo de ensayo y medición Attenuadores que permiten un control preciso de la señal

Los desafíos:

• Los analizadores de espectro, generadores de señal y analizadores de red dependen de una atenuación precisa de la señal

• Los atenuadores deberán proporcionar una atenuación estable en toda la banda de frecuencia de funcionamiento.

• Debe mantenerse un VSWR bajo y una buena planitud

• La parte delantera deberá manejar las señales de alta potencia del dispositivo sometido a ensayo.

• La señal debe pasar sin distorsión.

• Los cambios de temperatura pueden afectar a la precisión de la atenuación

La solución de SHINHOM:

• Serie de atenuadores de chips (paquetes CA-A y CA-C)

• Valor de atenuación estándar: 30 dB, tolerancia ±1 dB

• Coeficiente de temperatura: ± 150 ppm/°C, estable en todo el rango de temperatura

• Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

• El paquete de chips admite la colocación SMT, adecuado para diseños de PCB de alta densidad

• Substrato de AlN + proceso de película delgada

• VSWR tan bajo como 1.201 (DC a 3 GHz)

• Pérdida de inserción estable con un excelente rendimiento de supresión armónica

Los desafíos:

• Los aislantes en la salida de PA impiden que la energía reflejada se devuelva

• El tercer puerto del aislante requiere una terminación de alta potencia para absorber la energía reflejada

• La capacidad de potencia insuficiente o la mala disipación de calor en la terminación pueden causar fallas en el aislador

• Consecuencia: Daño del módulo de PA

La solución de SHINHOM:

• La serie de terminaciones de montaje de bridas (paquetes TX-A, TX-B)

• Modelo típico: RFR50N-500CT2732A

• Puesta en marcha de la potencia: 500W

• VSWR mejor que 1.301 (DC a 2,5 GHz)

• Estructura de montaje de las bridas para su fijación directa en la superficie del disipador

• Substrato de AlN con alta conductividad térmica (170-200W/m·K)

• El calor se dirige rápidamente al sistema de enfriamiento, evitando la acumulación de puntos calientes