| Nombre de producto | Base actual del sensor |
|---|---|
| Material | Nanocrystalline, amorfo, acero del silicio |
| Uso | Hall Effect Current Sensor |
| Lugar de la producción | China |
| Aduana | sí |
| Tensión de aislamiento | 1500 V Min |
|---|---|
| Fuerza | 1W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ +105°C |
| Protección antiestática | hasta 8KV |
| Voltaje de entrada | 3 VCC, 5 VCC, 12 VCC, 15 VCC, 24 VCC |